Transistor N-channel Power Mosfet To-252-h Ap9997gh 11a 100v

Transistor N-channel Power Mosfet To-252-h Ap9997gh 11a 100v
Ap9997gh = Pa610ad
MOSFET 
Tecnologia: Si 
Estilo de montagem: SMD/SMT 
Caixa / Gabinete: TO-252-H 
Polaridade do transistor: N-Channel 
Número de canais: 1 Channel 
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 120 V 
Id - Corrente de drenagem contínua: 11 A 
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 120 mOhms 
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V 
Tensão de limite porta e fonte: 1.3 V 
Qg - Carga na porta: 21 nC 
Temperatura operacional mínima: - 55 C 
Temperatura operacional máxima: + 150 C 
Pd - Dissipação de potência: 34,7 W 
Modo de canal: Enhancement 
Configuração: Single 
Tipo de transistor: 1 N-Channel 
Transcondutância em avanço - Mín: 7,3 S 

Tempo de queda: 5 ns 
Tempo de ascensão: 17 ns 
Tempo de retardo de desligamento típico: 15 ns 
Tempo típico de ativação/retardo : 7 ns