Transistor Smd 12n65 Jcs12n65st Novo

Transistor Smd 12n65 Jcs12n65st Novo

Designador de tipo: JCS12N65ST

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de Canal de Controle: N -Canal

Dissipação de Potência Máxima (Pd): 250 W

Tensão máxima da fonte de drenagem |Vds|: 650 V

Tensão máxima da fonte do portão |Vgs|: 30 V

Tensão Máxima de Limite de Porta |Vgs(th)|: 5 V

Corrente máxima de drenagem |Id|: 12 A

Temperatura máxima de junção (Tj): 150 °C

Carga Total do Portão (Qg): 39 nC

Tempo de subida (tr): 133 nS

Capacitância da fonte de drenagem (Cd): 175 pF

Resistência máxima no estado da fonte de drenagem (Rds): 0,78 Ohm

Pacote: TO-263